Статистичне моделювання параметрів низьколегованих напівпровідників методом кореляційно-регресійного аналізу

Навчальний заклад: Херсонський багатопрофільний ліцей № 20 Херсонської міської ради

Автор: Малахова Владислава Володимирівна

Відділення: Математика

Секція: Статистика

Область: Херсонська

Опис:

Метод кореляційно-регресійного аналізу відкриває значні можливості для фізики напівпровідників, оскільки надає можливість глибше досліджувати взаємозв'язки між різними структурними, електрофізичними та оптичними властивостями матеріалу. Такі дані дуже важливі для оптимізації процесів виготовлення напівпровідникових приладів. Однак на цей час використання методу в цій галузі є обмеженим. Так, для низьколегованих напівпровідників з великою кількістю факторів впливу, він досі не застосовувався. В роботі встановлено, що множинний кореляційно-регресійний аналіз, застосований до монокристалів низьколегованого арсеніду галію, виявив себе як ефективний метод неруйнівного дослідження. Він підтвердив раніше відому інформацію про зв’язок між механічними напруженнями, щільністю дислокацій і концентрацією домішок в кристалах. В той же час, було встановлено невідомий раніше факт про відсутність впливу на формування механічних напружень домішки кремнію, коли її концентрація не перевищує 5⋅10¹⁷ см⁻³, що вимагає додаткових досліджень з боку фізики напівпровідників. Статистично-обгрунтовані результати, отримані для GaAs, є передумовою для подальшої оптимізації і покращення моделювання інших низьколегованих напівпровідників.